在半导体产业精细化、高集成化发展进程中，晶圆厚度与平整度的检测精度直接影响芯片制造良率与器件性能，传统晶圆测厚技术在实际应用中，易受温度波动、机械震动等环境因素干扰导致测量精度偏差。同时在重掺硅、低反射材料等特殊晶圆测量中存在灵敏度不足、适配性有限的问题，难以满足半导体制造对高精度、高稳定性、多场景的测量需求。针对行业这一系列检测难题，Santec的TMS-2000高精度晶圆测厚系统，依托非接触式测量设计与创新硬件架构，为半导体领域晶圆检测提供专业、可靠的一体式解决方案。

精准解决行业测厚痛点

1.高环境稳定性，突破传统测量局限

TMS-2000搭载创新式硬件设计，可有效抵抗温度变化、机械震动带来的干扰，即便在极端工作环境中也能保持稳定的测量性能，彻底解决传统测厚技术精度受环境影响的行业痛点，实现全工况下的精准测量。

2.超高测量精度，满足精细化制造需求

系统测厚精度典型值达1nm、最大≤3nm，具备亚纳米级重复性，测厚显示分辨率0.1nm，可实现全晶圆范围的厚度测量，每秒可采集30000个厚度数据，空间分辨率<30μm，精准捕捉晶圆厚度的细微变化，匹配半导体精细化制造的测量标准，且所有测量结果均符合SEMI国际标准，数据具备行业通用性。

3.高效测量设计，兼顾速度与实用性

基于干涉检测技术，以高速扫频激光为光源，搭配照明-探测一体式光路设计，采用螺旋式扫描模式且可切换线扫描，最小扫描间距≤40μm，单晶圆测量仅需0.5-2min（依测量面积而定），大幅提升检测效率；同时为一体式紧凑设计，节省空间，且支持客制化扫描模式，可根据实际需求灵活调整。

4.专业分析能力，实现全维度检测

支持跨样本定量分析与对比，配备厚度测绘、平坦度测定、残差分析三种专业测量方法，可提供总体、局部、边缘等多维度平整度参数，还能以归一化Zernike系数形式输出量化的表面缺陷检测结果，为晶圆工艺优化、质量把控提供全面、精准的数据支撑。

多场景精准应用，适配半导体制造全流程

依托高灵敏度、高稳定性与全品类适配的核心特性，TMS-2000 支持最大 12 英寸晶圆测量，可有效攻克半导体制造中各类特殊晶圆的测量难点，广泛应用于晶圆抛光、研磨、背面研磨等核心工艺环节，同时适配功率半导体、绝缘体上硅（SOI）、微机电系统（MEMS）、表面声波元件等产品的生产制造检测，成为半导体制造全流程的专业测厚平台。

TMS-2000 可适配重掺硅、碳化硅、蓝宝石、铌酸锂、SOI 等多种材料晶圆，还能精准测量最薄 4μm 的薄膜晶圆、μm 级至数百 μm 级的多层结构晶圆，解决传统设备对特殊材料和结构晶圆测量灵敏度不足的问题，全覆盖半导体制造全品类晶圆检测需求。

定制化解决方案,匹配个性化工业需求

为进一步适配不同行业、不同测量需求，TMS-2000提供全方位的定制化服务，可根据实际需求提供晶圆测量硬件制造、软件设计的定制服务及配套一体化系统和制造工具；同时提供EFEM集成支持，包含自动化检测设计、可控微环境设计，助力工业产线实现自动化升级，兼顾测量的专业性与适配性，为不同需求提供专属的晶圆测厚解决方案。

TMS-2000聚焦解决半导体行业测厚痛点，凭借高环境稳定性、超高测量精度、全场景适配性等核心优势，成为半导体制造领域晶圆厚度与平整度检测的理想平台，为半导体产业的精细化、高质量发展提供专业的光学测量技术支撑。

本文转载自【santer圣德科】

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